硅晶体管
       1954年1月,塔尼巴恩在贝尔实验室研制出了第一个可以工作的硅半导体。这个工作在1954年春季的固态设备大会上被报道,随后在应用物理学报(Journal of Applied Physics, 26, 686-691(1955))上发表。
      戈登·蒂尔在1954年2月也独立研制出了第一个商用硅晶体管并在1954年2月14日对它进行了测试。1954年5月10日,在俄亥俄州的代顿举行的无线电工程师学会(Institute of Radio Engineers, IRE)国家航空电子大会上上,蒂尔正式对外界公布了他的成就,宣称“与同事告诉你的关于硅晶体管的严峻前景相反,我却恰好能把这些东西装在我的口袋里。(Contrary to what my colleagues have told you about the bleak            prospects for silicon transistors, I happen to have a few of them here in my pocket.)”,并在大会期间发表了一篇题为《近期硅锗材料和设备的发展》(Some Recent Developments in Silicon and Germanium Materials and Devices)的论文。
        在这一点上,德州仪器成为了当时唯一一个大批量生产硅晶体管的公司。随后在1955年,利用固态杂质扩散的扩散型晶体管被发明。不过,当时硅管的价格比锗管昂贵得多。

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